硅膜片壓力傳感器是以壓阻效應為基礎的。根據壓阻效應， 半導體電阻的阻值隨所加壓力的改變而變化。這里AR是電阻的變化值，R是半導體電阻的初始值，p 和P。是加在電阻上縱向和橫向壓力， 和 為縱向和橫向壓阻系數。壓阻系數取決于電阻在晶狀結構上的排列。如圖l所示的晶向排列，其系數近似為tL=一Ⅱt："D／2這里 ，是沿硅膜片懾體軸向的壓阻系數，所以電阻的變化量可簡單表示為t

AR1／Rl： 一AR=／Rl

： ·(Pl，一Pl z)／2

式中P ，和P 。是電阻R 在jr和x方向上所感受到的壓力， 它們正比于加在膜片上的壓力P。將R 和R：接成半橋電路，并用Vtzc電壓來激發該橋路，輸出電壓Vo和它的壓力敏感度S可用下式表示t

V 0 -(PI，一Pl1)VEx c／4

S=(1／VFI c)(aV。／0P)

： ( 。／4)a(P1，一Plx)／0p

而且壓力敏感度的溫度系數為

(1／S)(aS／0T)

= (1／ j)(0z~／aT)

因為o~P／a．T是負值，所以得到了負溫度系數。在實際運用中， 這個負溫度系數由溫補電路和R R。集成在同一硅片上(如圖2所示)而進行補償。這樣不但避免共模噪聲由導線饋入，而且可以使傳感器小型化，高精度化，更重要的是這一技術1從根本上改變了電容式壓力變送器的傳感器的溫度特性，達到±100ppm／℃ 。